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元件参数资料
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参数目录43896
> STD18N55M5 MOSFET N-CH 550V 13A DPAK
型号:
STD18N55M5
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
STMicroelectronics
描述:
MOSFET N-CH 550V 13A DPAK
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
STD18N55M5 PDF
其它有关文件
STD18N55M5 View All Specifications
产品培训模块
5th Generation High Voltage Mosfet Technology
标准包装
1
系列
MDmesh™
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
标准
漏极至源极电压(Vdss)
550V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
13A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
240 毫欧 @ 6.5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
31nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1352pF @ 100V
功率 - 最大
90W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装
D-Pak
包装
标准包装
其它名称
497-10955-6
查看STD18N55M5代理商
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